光刻是一種使用曝光將設(shè)計(jì)的掩模圖案轉(zhuǎn)移到基板上的工藝。紫外光刻機(jī)是專為實(shí)驗(yàn)室研發(fā)和小批量生產(chǎn)而設(shè)計(jì)的高分辨率光刻系統(tǒng)。光刻機(jī)提供良好的基板適應(yīng)性，可夾持標(biāo)準(zhǔn)尺寸基板的最大直徑為150mm。該設(shè)備提供多種曝光方式，包括真空、軟接觸、硬接觸、最近鄰等，可實(shí)現(xiàn)鍵合對準(zhǔn)、納米壓紋、微接觸密封等多種功能。

　　雙面對位的整體設(shè)計(jì)技術(shù)采用CCD圖像底部對位技術(shù)和單曝光頭正面曝光實(shí)現(xiàn)。采用新型高精度、多自由度光罩樣品精密對準(zhǔn)工作臺結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，光罩樣品對準(zhǔn)過程直觀，雕刻對準(zhǔn)速度快，精度高。掩膜板和樣品的放置采用推拉式參考板和真空吸附，操作方便。該裝置可用于用紫外光照射正膠或負(fù)膠，通過顯影可對樣品進(jìn)行精細(xì)圖案化。

　　紫外光刻機(jī)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、生物器件和納米技術(shù)。而且，該系列光刻機(jī)已被多家企業(yè)、研發(fā)中心、科研院所、高校采用作為其光刻系統(tǒng)的基礎(chǔ)；其過硬的技術(shù)、技術(shù)和良好的服務(wù)贏得了廣大用戶的青睞。

　　作為光刻系統(tǒng)，重要的UV曝光機(jī)技術(shù)在于以下兩個(gè)方面：掩模晶圓對準(zhǔn)和將掩模上的圖案復(fù)制到晶圓上，為下一步或離子注入工藝做準(zhǔn)備。紫外光刻機(jī)系統(tǒng)的曝光方式采用壓力可調(diào)的接觸式曝光，有效減少光刻膠對掩膜的污染和掩膜的磨損，從而提高掩膜的使用壽命。因此，曝光機(jī)/光刻系統(tǒng)以其高性價(jià)比令人印象深刻。